| 型号：IPP65R600E6 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 600 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.5V @ 210µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 440pF @ 100V |
| 功率_最大 | 63W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
| 深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
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| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
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